例如，获取模块310、***计算模块320、第二计算模块330和第三计算模块340中的任意多个可以合并在一个模块中实现，或者其中的任意一个模块可以被拆分成多个模块。或者，这些模块中的一个或多个模块的至少部分功能可以与其他模块的至少部分功能相结合，并在一个模块中实现。根据本发明的实施例，获取模块310、***计算模块320、第二计算模块330及第三计算模块340中的至少一个可以至少被部分地实现为硬件电路，例如现场可编程门阵列(fpga)、可编程逻辑阵列(pla)、片上系统、基板上的系统、封装上的系统、**集成电路(asic)，或可以通过对电路进行集成或封装的任何其他的合理方式等硬件或固件来实现，或以软件、硬件以及固件三种实现方式中任意一种或以其中任意几种的适当组合来实现。或者，获取模块310、***计算模块320、第二计算模块330及第三计算模块340中的至少一个可以至少被部分地实现为计算机程序模块，当该计算机程序模块被运行时，可以执行相应的功能。首先，该方法利用了一族基于锑化镓(GaSb)基底的材料，这常见于红外激光器和光电探测器等应用之中。贵州高级太阳光谱模拟低价

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。本发明实施例提出一种用于地球静止轨道卫星光学遥感图像的太阳光照补偿值方法，该方法通过地球静止轨道卫星光学遥感图像尺寸、地理经度区间、地理纬度区间、拍摄日期、拍摄时刻及拍摄位置高程，计算拍摄时刻的太阳赤纬角、太阳时角、太阳高度角、太阳辐射强度、大气光学质量、直射辐射大气透明度系数、直接辐射强度、散射辐射大气透明度系数、散射辐射强度、太阳总辐照强度，实现对于不同日期、不同时间、不同地点拍摄的地球静止轨道卫星光学遥感图像的太阳光照补偿值计算。为了得到高质量的化合物薄膜，通常在溅镀金属靶时，通入与被溅射出的物质反应的气体。

根据τs(α，z)＝0.2710-0.2939×τd(α，z)(9)其中，τs(α，z)为散射辐射大气透明度系数。s27，根据大气层上界垂直入射时的太阳辐射强度、直射辐射大气透明度系数和太阳高度角，计算太阳直接辐射强度。在本实施例一可行的方式中，根据ed(d，α，z)＝e(d)×τd(α，z)×sinα(x，y，d，t)(10)计算太阳直接辐射强度ed(d，α，z)。s28，根据散射辐射大气透明度系数和太阳高度角，计算太阳散射辐射强度。在本实施例一可行的方式中，根据计算太阳散射辐射强度es(α，z)，k2为常系数，根据大气质量浑浊程度，取值范围通常为0.6≤k2≤0.9。s103，根据太阳直接辐射强度和太阳散射辐射强度，计算地球静止轨道卫星光学遥感图像的太阳总辐照强度。在本实施例一可行的方式中，根据

本发明实施例的目的在于提供一种用于选择性吸收太阳光谱的膜层的制备方法。为解决上述的技术问题，本发明提供的技术方案为：一种用于选择性吸收太阳光谱的膜层的制备方法，包括以下依次进行的步骤：1)反应性溅镀制备强化膜：在***真空镀膜室中，氩离子撞击靶材，撞击出来的铬离子与通入的氧气发生化学反应生成氧化铬，反应生成的氧化铬沉积在吸热体的基材的外表面上形成强化膜；2)溅镀制备低发射率膜：在第二真空镀膜室中，氩离子撞击靶材，撞击出来的铜离子沉积在步骤1)制得的强化膜的外表面上形成低发射率膜；撞击出来的铬离子与通入的氮气发生化学反应生成氮化铬，反应生成的氮化铬沉积。

厚度为0.1～2μm的薄层金属氧化物或硫化物，如氧化铜、氧化铬等，具有很高的太阳辐射吸收比和长波辐射透射比。6层构成的膜层的缓冲膜、过渡膜、吸收膜的主要成分是氧化铬等氧化物，能够吸收波长范围为0.20～3.0μm的太阳辐射能量并转化为热能。本申请实现了用于选择性吸收太阳光谱的膜层的吸收率高、发射率低以及附着力好，其中的工作原理是：在2500nm波长以下的太阳光反射光谱，反射率越低，吸收率越高，相反的，在2500nm波长以上的太阳光反射光谱，反射率越高，发射率越低；对基材表面作预处理，增加吸热体表面粗超度，能有效增强附着力，根据标准要求测试，结果为1级。反应生成的氧化铬沉积在步骤4)制得的过渡膜的外表面上形成吸收膜。湖南上打光太阳光谱模拟销量

撞击出来的硅离子与通入的氧气发生化学反应生成二氧化硅，反应生成的二氧化硅沉积在步骤。贵州高级太阳光谱模拟低价

经检测，本实施例1制备的膜层的吸收率为94％，比现有技术中膜层的吸收率提高了3％～9％；本申请制备的膜层的发射率为4％，比现有技术中膜层的发射率降低了3％～12％；膜层的附着力根据标准要求测试，结果为1级；采用本申请制备的膜层的太阳能集热器的热效率为80.4％，比采用现有技术中膜层的太阳能集热器的热效率提高了6％～8.4％。本发明未详尽描述的方法和装置均为现有技术，不再赘述。本文中应用了具体实施例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其**思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。贵州高级太阳光谱模拟低价

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